先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻 博士課程後期2年の村岡 幸輔さんが、2018年11月4日に応用物理学会中国四国支部学術講演会において、発表奨励賞を受賞しました。
受賞理由は、応用物理学会中国四国支部学術講演会において、（2018年8月4日（土））“Ba導入4H-SiC nMOSFETsに対するストレス印加”に関する口頭発表が優秀であると認められたためです。
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- 【受赏报告】半导体集积科学専攻博士课程后期2年の村冈幸辅さんが応用物理学会中国四国支部学术讲演会において、発表奨励赏を受赏しました
