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HiSIM(Hiroshima-Univeristy STARC IGFET Model)是广岛大学与半导体理工学研究中心(STARC)共同开发的电路设计用晶体管模型。2007年，应用这个模型的耐高压下一代晶体管LDMOS被定为国际标准模型。这是日本校企合作开发的电路设计用晶体管模型首次在国际舞台上得到认可，令人鼓舞。另外，2008年，耐高压MOS晶体管模型HiSIM_HV被定为国际标准模型。贬颈厂滨惭研究中心与世界上许多半导体公司合作检验HiSIM的问题，并对模型进行改进。
电路设计者与设备开发者之间，以贬颈厂滨惭为教材，培养半导体方面高度专业性人才。
中心自我介绍
2011年，贬颈厂滨惭模型家族的核心模型贬颈厂滨惭2，继贬颈厂滨惭冲贬痴之后被定为国际标准模型。
