Home広島大学贬颈厂滨惭研究センター
〒739-8530
広岛県东広岛市镜山1-3-1
电话:(082)424-7659
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センターの概要
HiSIM(Hiroshima-Univeristy STARC IGFET Model)は、広島大学が半導体理工学研究センター(STARC)と共同で開発した回路設計用トランジスタモデルです。2007年、これを高耐圧次世代トランジスタLDMOSに応用したものが国際標準モデルに選定されました。これは産学連携によって生まれた回路設計用トランジスタモデルが世界の舞台で認められた日本初の快挙です。また、2008年には、高耐圧MOS トランジスタモデルであるHiSIM_HVが、国際標準モデルに認定されました。贬颈厂滨惭研究センターは、世界中の様々な半導体メーカーとHiSIMの問題点の検証を行い、それを受けたモデルを改良しています。
また、回路设计者とデバイス开発者の间で、贬颈厂滨惭を共通言语とし、半导体に関する高度な専门性を有した人材の育成も行っています。
センターからのメッセージ
2011年、贬颈厂滨惭モデルファミリーのコアモデルである贬颈厂滨惭2が、贬颈厂滨惭冲贬痴を追う形で国际标準モデルに认定されました。
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