Home広岛大学ナノデバイス?バイオ融合科学研究所
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吉川公麿、横山 新
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平成２６年８月１２日
－最先端技术のインターンシップ－
インドネシアのバンドン工科大学生が室温动作単电子トランジスタを作成
広岛大学ナノデバイス?バイオ融合科学研究所（所長 吉川公麿）では、8月4日から8月15日まで、広島大学と大学間交流協定を締結しているバンドン工科大学（インドネシア）が選抜した理学部物理学科の3年生と4年生の5名を受け入れ、世界でも有数の設備を誇る半導体スーパークリーンルーム実験施設で、微細寸法の最先端半導体電子デバイスを作製する実習を行っています。
この実習では、特殊なシリコン半導体基板であるSOI（Silicon on Insulator：シリコン?オン?インシュレータ）ウェーハに電子ビーム露光技術を用いて、10nm（1nmは1mmの100万分の一）の超微細パターンを形成し、真空プラズマエッチング技術と呼ばれる加速されたイオンで化学反応を起こしながら加工することで、量子ドットの直列接続構造を形成します。
実际に作製するナノデバイスは、直径が20苍尘以下のナノドットと幅が0苍尘以下のナノワイヤをナノドット中心间距离250苍尘で11个直列に接続したナノデバイスです。
この実习の特徴は、量子力学的効果であるクーロン振动を室温で観察できることで、インドネシアの物理学生はこのような日本の最先端技术の研究に触れることができる机会を自分の将来に生かしたいと抱负を语っています。
広岛大学とバンドン工科大学は留学生の受け入れや教员によるセミナーなどを积极的に実施しており、ナノデバイス?バイオ融合科学研究所では、今后もこのような最先端技术のインターンシップを続けていく予定です。
添付写真１：クリーンルームでトランジスタ製作に励むバンドン工科大学生
添付写真２：自分たちが作製したナノデバイスを测定するバンドン工科大学生
添付写真３：シリコンナノドット构造の电子顕微镜写真
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